missing translation for 'onlineSavingsMsg'
Learn More
Learn More
Phosphure d’indium(III), grumeau polycristallin, 99,99 % (à base de métaux), Thermo Scientific Chemicals
69.04€ - 1025.00€
Identifiants chimiques
| CAS | 22398-80-7 |
|---|---|
| Formule moléculaire | InP |
| Poids moléculaire (g/mol) | 145.792 |
| Numéro MDL | MFCD00016153 |
| Clé InChI | GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N |
| Synonyme | indium phosphide, indium iii phosphide, indium monophosphide, unii-sd36lg60g1, ccris 8799, phosphinidyneindium, dsstox_cid_11444, dsstox_rid_78875 |
| CID PubChem | 31170 |
| Nom IUPAC | indiganylidylephosphane |
| SMILES | P#[In] |
| Product Code | Brand | Quantité | Price | Quantity & Availability | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Product Code | Brand | Quantité | Price | Quantity & Availability | |||||
|
11472907
|
Thermo Scientific Alfa Aesar
A15509.03 |
1 g |
69.04€
1g |
Veuillez vous connecter pour pouvoir commander cet article. Besoin d'un compte web? Créer le vôtre dès maintenant! | |||||
|
11482907
|
Thermo Scientific Alfa Aesar
A15509.06 |
5 g |
258.29€
5g |
Veuillez vous connecter pour pouvoir commander cet article. Besoin d'un compte web? Créer le vôtre dès maintenant! | |||||
|
11492907
|
Thermo Scientific Alfa Aesar
A15509.14 |
25 g | N/A | ||||||
Description
InP is used in high-power and high-frequency electronics because of its superior electron velocity. It also has a direct bandgap, making it useful for optoelectronics devices like laser diodes. It is also used as a substrate for epitaxial indium gallium arsenide based opto-electronic devices.
This Thermo Scientific Chemicals brand product was originally part of the Alfa Aesar product portfolio. Some documentation and label information may refer to the legacy brand. The original Alfa Aesar product / item code or SKU reference has not changed as a part of the brand transition to Thermo Scientific Chemicals.
ApplicationsL’InP est utilisé dans l’électronique haute puissance et haute fréquence en raison de la vitesse élevée des électrons. Il présente également une bande passante directe, qui est utile pour les dispositifs optoélectroniques comme les diodes laser. Il est également utilisé comme substrat pour les dispositifs optoélectroniques à base d’arséniure d’indium et de gallium épitaxiale.
Solubilité
Insoluble dans l’eau.
Remarques
Conserver dans un récipient étanche au frais et au sec. Incompatible avec l’agent oxydant.
Chemical Identifiers
| 22398-80-7 | |
| 145.792 | |
| GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N | |
| 31170 | |
| P#[In] |
| InP | |
| MFCD00016153 | |
| indium phosphide, indium iii phosphide, indium monophosphide, unii-sd36lg60g1, ccris 8799, phosphinidyneindium, dsstox_cid_11444, dsstox_rid_78875 | |
| indiganylidylephosphane |
Specifications
| Indium(III) phosphide | |
| 22398-80-7 | |
| (Base des métaux) | |
| MFCD00016153 | |
| indium phosphide, indium iii phosphide, indium monophosphide, unii-sd36lg60g1, ccris 8799, phosphinidyneindium, dsstox_cid_11444, dsstox_rid_78875 | |
| GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N | |
| indiganylidylephosphane | |
| 31170 | |
| 99.99% |
| 1070°C | |
| Grumeau polycristallin | |
| InP | |
| 14,4953 | |
| Insoluble in water. | |
| P#[In] | |
| 145.792 | |
| 145.79 | |
| 4.81 |
Safety and Handling
Déclaration GHS H
H351
Susceptible de provoquer le cancer.
P201-P202-P260-P264b-P270-P281-P308+P313-P501c
H350-H361f-H372
missing translation for 'einecsNumber' : 244-959-5
missing translation for 'rtecsNumber' : NL1800000
missing translation for 'tsca' : Oui
Recommended Storage : Température ambiante
RUO – Research Use Only